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        直插瓷片電容器具有高介電系數(shù)的陶瓷介質(zhì)，阻燃的環(huán)氧樹脂封裝。適用于電子設備的電源電路噪音壓制電路及天線耦合跨接和旁路電路，符合ROHS指令、RE[**]CH指令、無溴無鹵。

        直插瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

        按瓷介電容電介質(zhì)又分:1類電介質(zhì)(NP0，C0G)，2類電介質(zhì)(X7R，2X1)和3類電介質(zhì)(Y5V，2F4)瓷介電容器。EI[**] RS-198MLCC(1類)—微型化，高頻化，超低損耗，低ESR，高穩(wěn)定，高耐壓，高絕緣，高可靠，無極性，低容值，低成本，耐高溫。主要應用于高頻電路中。

        MLCC(2類)—微型化，高比容，中高壓，無極性，高可靠，耐高溫，低ESR，低成本.主要應用于中，低頻電路中作隔直，耦合，旁路和濾波等電容器使用。

        直插瓷片電容的識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標法，色標法和數(shù)標法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有：毫法(mF)，微法 (μF)/mju:/，納法(nF)，皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000納法 (nF)，1納法=1000皮法(pF)

        容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標明，如10 μF/16V，容量小的瓷片電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示，字母表示法：1F=1000 μF   1P2=1.2PF   1nF=1000PF。數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標稱容量的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個數(shù)，它們的單位都是pF。