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      在各行業(yè)中，我們都會(huì)用到高壓陶瓷電容器，它具有耐磨直流高壓的特點(diǎn)。適用于高壓旁路和耦合電路中，它的測(cè)試方法、自恢復(fù)期、單位及符號(hào)分別如下：

一、高壓陶瓷電容測(cè)試方法：

高壓陶瓷電容器的可靠性測(cè)試，也叫老化測(cè)試，壽命測(cè)試，包括很多方面的測(cè)試內(nèi)容：

1.串聯(lián)電阻測(cè)試，絕緣電阻測(cè)試；

2.拉力測(cè)試，即引線與芯片焊接的牢固度；

3.正負(fù)溫變化率測(cè)試，即-40度到+60度狀況下，電容的變化率；

4.老化測(cè)試，高壓陶瓷電容在模擬工作環(huán)境狀態(tài)下運(yùn)作30~60天，測(cè)試其衰減其各項(xiàng)參數(shù)的變化；

5.耐壓實(shí)驗(yàn)，包括額定工作電壓24小時(shí)工作測(cè)試；也包括擊穿耐壓，即破壞性測(cè)試，電容被擊穿前的那一個(gè)臨界電壓就是擊穿電壓。

6.局放測(cè)試，即局部放電測(cè)試；

7.壽命測(cè)試，即在老化測(cè)試的基礎(chǔ)上，再對(duì)電容進(jìn)行高頻沖電流下快速充放電測(cè)試，得到的充放電次數(shù)就是充放電壽命，注意，這個(gè)壽命的得出是在長(zhǎng)時(shí)間的老化之后得出的。

二、高壓陶瓷電容自恢復(fù)期：

高溫?zé)Y(jié)，是高壓陶瓷電容的最重要的工序之一。經(jīng)過(guò)一百噸的沖壓鑄造，以及一千多度的高溫?zé)Y(jié)，高壓陶瓷電容的芯片內(nèi)部，各分子之間的構(gòu)造成晶體結(jié)構(gòu)。接下來(lái)的6小時(shí)的高溫烘烤，和7小時(shí)的保溫，徹底打亂了晶體的內(nèi)部構(gòu)造。

那么，要想恢復(fù)芯片的構(gòu)造，穩(wěn)固芯片的特性，高壓陶瓷電容需要時(shí)間恢復(fù)。自然恢復(fù)（常溫存放）以60天以上的時(shí)間為佳。而且，存放一年與存放兩年的產(chǎn)品，以時(shí)間長(zhǎng)為表現(xiàn)優(yōu)異。所以，恢復(fù)期長(zhǎng)，對(duì)電容器的性能是有很大幫助的，沒有恢復(fù)期的電容，其耐壓及耐電流性能是較差的。經(jīng)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，存放時(shí)間長(zhǎng)的高壓陶瓷電容器，其損耗角值會(huì)變得更小，高頻特性也會(huì)更好。

三、高壓陶瓷電容單位及符號(hào)：

·電容的基本單位是：F（法），此外還有μF（微法）、pF（皮法），另外還有一個(gè)用的比較少的單位，那就是：nF，由于電容F的容量非常大，所以我們看到的一般都是μF、nF、pF的單位，而不是F的單位。他們之間的具體換算如下：

1F=1000000μF

1μF=1000nF=1000000pF

·電容的符號(hào)：

電容的符號(hào)同樣分為國(guó)內(nèi)標(biāo)表示法和國(guó)際電子符號(hào)表示法，但電容符號(hào)在國(guó)內(nèi)和國(guó)際表示都差不多，唯一的區(qū)別就是在有極性電容上，國(guó)內(nèi)的是一個(gè)空筐下面一根橫線，而國(guó)際的就是普通電容加一個(gè)“+”符號(hào)代表正極。

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